Description:... Diese Arbeit beschäftigt sich mit photonenaktivierten Reinigungs- und Oxidationsprozessen für die Nanoelektronik, bei denen ein thermisches Budget von T = (700 . . . 750) °C nicht überschritten wird. Dieser Temperaturbereich stellt eine kritische Obergrenze dar, ab der die Diffusion von Dotierstoffatomen sowie der mechanische Stress zwischen Schichten eine Herstellung von siliziumbasierten Halbleiterbauelementen mit Strukturgrößen
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