برای ثبت درخواست به انتهای صفحه مراجعه کنید.

Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies

Description:...

This book focusses on III-V high electron mobility transistors (HEMTs) including basic physics, material used, fabrications details, modeling, simulation, and other important aspects. It initiates by describing principle of operation, material systems and material technologies followed by description of the structure, I-V characteristics, modeling of DC and RF parameters of AlGaN/GaN HEMTs. The book also provides information about source/drain engineering, gate engineering and channel engineering techniques used to improve the DC-RF and breakdown performance of HEMTs. Finally, the book also highlights the importance of metal oxide semiconductor high electron mobility transistors (MOS-HEMT).

Key Features

  • Combines III-As/P/N HEMTs with reliability and current status in single volume
  • Includes AC/DC modelling and (sub)millimeter wave devices with reliability analysis
  • Covers all theoretical and experimental aspects of HEMTs
  • Discusses AlGaN/GaN transistors
  • Presents DC, RF and breakdown characteristics of HEMTs on various material systems using graphs and plots

Show description

* ایمیل (آدرس Email را با دقت وارد کنید)
لینک پیگیری درخواست ایمیل می شود.
شماره تماس (ارسال لینک پیگیری از طریق SMS)
نمونه: 09123456789

در صورت نیاز توضیحات تکمیلی درخواست خود را وارد کنید

* تصویر امنیتی
 

به شما اطمینان می دهیم در کمتر از 8 ساعت به درخواست شما پاسخ خواهیم داد.

* نتیجه بررسی از طریق ایمیل ارسال خواهد شد

ضمانت بازگشت وجه بدون شرط
اعتماد سازی
انتقال وجه کارت به کارت
X

پرداخت وجه کارت به کارت

شماره کارت : 6104337650971516
شماره حساب : 8228146163
شناسه شبا (انتقال پایا) : IR410120020000008228146163
بانک ملت به نام مهدی تاج دینی

پس از پرداخت به صورت کارت به کارت، 4 رقم آخر شماره کارت خود را برای ما ارسال کنید.
X