Konzipierung eines alternativen Designs fr einen Hochvolt-Operationsverst„rker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren fr den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverst„rkers
Description:... Da auf der Basis von Silizium nur aufw„ndig konstruierte, teurere hybride Operationsverst„rker mit gleichzeitig gutem Hochfrequenzverhalten und hoher Ausgangsspannung und hohem Ausgangsstrom verfgbar sind, wurde in dieser Studie eine Schaltung entworfen, mit der sich relativ einfach und kostengnstig entweder rein mit Silizium-basierten Bauteilen oder auch unter Verwendung von Galliumnitrid-Bauteilen in der Endstufe Hochvolt-Operationsverst„rker realisieren lassen. Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren fr den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverst„rkers konnte sowohl in Simulationen als auch anhand der Charakterisierung der konzipierten Schaltung nach deren Aufbau auf einer Leiterplatte nachgewiesen werden. Die Messergebnisse best„tigten, die durch die Simulationen vorhergesagten Werte fr die Verst„rkung, w„hrend die gemessenen Verst„rkungsbandbreiten erwartungsgem„á aufgrund von parasit„ren Kapazit„ten hinter den Werten aus den Simulationen zurckblieben. Mit dem im Rahmen dieser Studie erstellten Schaltungskonzept wurde eine experimentell verifizierte Grundlage fr weitere Arbeiten zum Aufbau eines vollst„ndig Galliumnitrid-basierten Operationsverst„rkers geschaffen.
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